Мікротвердість імплантованих іонами гелію монокристалічних плівок залізо-ітрієвого ґранату

Abstract

Проведено вимірювання мікротвердості монокристалічних плівок залізо-ітрієвого ґранату різних товщин як неімплантованих, так і модифікованих бомбардуванням іонами гелію (Е = 100 кеВ, D = 1⋅10¹⁵ – 1⋅10¹⁶ см⁻²). Встановлено, що мікротвердість плівок залізо-ітрієвого ґранату із збільшенням товщини плівки зростає. Показано наявність мінімуму (D = 2⋅10¹⁵ Не⁺ /см² ) на залежності виміряної величини мікротвердості плівок залізо-ітрієвого ґранату від дози опромінення іонами гелію.Проведены измерения микротвердости монокристаллических пленок железо-иттриевого граната разных толщин как неимплантированных, так и модифицированных бомбардированием ионами гелия (Е = 100 кэВ, D = 1•10¹⁵ – 1⋅10¹⁶ см⁻²). Установлено, что микротвердость пленок железо-иттриевого граната с увеличением толщины пленки возрастает. Показано наличие минимума (D = 2⋅10¹⁵ Не⁺ /см² ) на зависимости измеренной величины микротвердости пленок железо-иттриевого граната от дозы облучения ионами гелияThe results of microhardness measurements of various thicknesses nonimplanted and implanted by helium ions E = 100 keV, D = 1⋅10¹⁵ – 1⋅10¹⁶ ion/cm² single crystalline YIG films are represented. It is set that microhardness of YIG films increases with the increase of film thickness. The presence of a minimum (D = 2⋅10¹⁵ Не⁺ /сm² ) on the dose dependence of measured values microhardness of helium implanted YIG films is performed. Remove selected