Формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал

Abstract

Представлено результати дослідження характеристик селеніду галію з впровадженим між його шари сегнетоелектричним рідким кристалом (segnRK), що складається з ахірального смектика (похіднафенілбензоату) та хіральної компоненти. Встановлено характер змін частотної поведінки питомого імпедансу, діелектричної проникності та тангенса кута втрат при різних температурах та після ультразвукового опромінення протягом 5 та 15 хвилин. З’ясовано відмінність між впливом поля акустичної хвилі і температури на властивості наноструктури GaSe<segnRK>.Представлены результаты исследования характеристик селенида галлия с введенным между его слои сегнетоэлектрическим жидким кристаллом (segnRK), состоящего из ахирального смектика (производная фенилбензоата) и хиральной компоненты. Установлен характер изменений частотного поведения удельного импеданса, диэлектрической проницаемости и тангенса угла потерь при разных температурах и после ультразвукового облучения на протяжении 5 и 15 минут. Выяснено отличие между влиянием поля акустической волны и температуры на свойства наноструктуры GaSe<segnRK>.The results of the research of characteristics of gallium selenide with intercalated between the layers ferroelectric liquid crystals (segnRK) which consisted of an achiral smektyk (derivative of phenyl benzoate) and a chiral component were presented. The character of frequency behavior change of specific impedance, dielectric permittivity and tangent of angle’s loss at different temperatures and after ultrasonic irradiation for 5 and 15 minutes was established. The difference between the influence of acoustic wave field and temperature for properties of nanostructure GaSe<segnRK> was revealed