Функціоналізація і наноструктурування поверхневих шарів поруватого кремнію

Abstract

Показана можливість створення багатошарових покрить шляхом модифікування методики електролітичного травлення поверхні монокристалічного кремнію. При травленні використовували добавки HСl і HBr. Методами електронної мікроскопії, рентгенофазового аналізу встановлено, що варіювання складом електроліту і густиною струму приводить до наноструктурування поверхні кремнію в виді шарів різної товщини (200 – 400 нм), морфології і поруватого кремнію.Показана возможность создания многослойных покрытий путем модифицирования методики электролитического травления поверхности монокристаллического кремния. При травлении использовали добавки HCl и HBr. Методами электронной микроскопии, рентгенофазового анализа установлено, что варьирование составом электролита и плотностью тока приводит к наноструктурированию поверхности кремния в виде слоев разной толщины (200 – 400 нм), морфологии и пористости.The possibility of creating multilayer coatings by modifying the method of electrolytic etching of single crystal silicon. Additives used in etching and HCl HBr. By electron microscopy, X-ray diffraction analysis showed that the variation in the composition of the electrolyte and the current density results in a nanostructured surface of silicon in the form of layers of different thickness (200 – 400 nm), morphology and porosity.