Вплив імплантації іонами гелію на форму елементарної комірки у приповерхневих шарах монокристалів ҐҐҐ

Abstract

Досліджено трансформацію кристалічної ґратки в іонно-імплантованих шарах монокристалів ґалій-ґадолінієвого ґранату. Встановлено, що у площині пластин монокристалів ҐҐҐ при імплантації іонами Не⁺ деформація кристалічної ґратки в імплантованому шарі відбувається тільки у перпендикулярному до площини пластин напрямку, а елементарна комірка понижує свою симетрію з кубічної до ромбоедричної.Исследовано трансформацию кристаллической решетки в ионно-имплантированных слоях монокристаллов галлий-гадолиниевого граната. Установлено, что в результате имплантации ионами Не⁺ деформация кристаллической решетки в имплантированном слое монокристаллов галлий-гадолиниевого граната происходит только в перпендикулярном к плоскости пластин направлении, а элементарная ячейка снижает свою симметрию с кубической к ромбоэдрическойThe transformation of the crystal lattice in ion-implanted layers of gadolinium gallium garnet single crystals was investigated. It was determined that the deformation of the crystal lattice in the implanted layer as a result of implantation by He⁺ ions occurs only in the perpendicular to the plane of plates direction, and unit cell reduces its symmetry from cubic to rhombohedral.