Гигантское магнитосопротивление двухбарьерных магнитных туннельных переходов

Abstract

Теоретически исследовано гигантское туннельное магнитосопротивление двухбарьерных магнитных туннельных переходов (ДМТП). За основу был взята двухзонная модель спин-поляризованных электронов в ферромагнитных электродах (ФЭ) магнитных туннельных переходов. В рамках этой модели в ФЭ имеются две группы электронов с различным направлением спина. Показано, что в ДМТП туннельное магнитосопротивление может приближаться к 100 %.Теоретично досліджено гігантський тунельний магнітоопір двобар’єрних магнітних тунельних переходів (ДМТП). За основу бралася двозонна модель спін-залежних електронів у феромагнітних електродах (ФЕ) магнітних тунельних переходів. У межах цієї моделі у ФЕ є дві групи електронів з різним напрямом спінів. Показано, що в ДМТП тунельний магнітоопір може наближатися до 100 %.Giant magnetoresistance of two-barrier magnetic tunnel junctions (TMTJ) has been investigated theoretically. The TMTJ are investigated within the spin-polarized two-zone model of free electrons in ferromagnetic electrodes (FE). It is shown that the tunnel magnetoresistance of the DTMJ can reach 100 %.