Получение периодических слоев GaAs методом электрохимического травления

Abstract

В данной работе методом анодного электрохимического травления была получена периодическая пористая структура полупроводника GaAs (001) n-типа проводимости. Поперечное сечение полученной структуры изучалось на сканирующем электронном микроскопе.У даній роботі методом анодного електрохімічного травління була отримана періодична пориста структура напівпровідника GaAs (001) n-типу провідності. Поперечний переріз отриманої структури вивчався на скануючому електронному мікроскопі.In this study, the method of anodic electrochemical etching was received periodic porous structure semiconductor GaAs (001) n-type conductivity. The cross section of the resultant structure was studied by SEM.