The mechanism of current transport in the structure Al-p-CdTe-Mo with different thickness of the base
Завантаження...
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
Анотація
In this paper the mechanism of current’s transport in the structure Al-p-CdTe-Mo is studied, when the thickness of the base w ≤ 10 μm. The results of study of current-voltage characteristics of the structure Al-p-Cd-Te-Mo with different thicknesses of the base and the influence of the thickness of the base on the mechanism of current’s transport are given.
В работе исследуется механизм переноса тока в структуре Al-p-CdTe-Mo, когда толщина базы w ≤ 10 μm. Приведены результаты исследований вольт-амперных характеристик структуры Al-p-CdTe-Mo с разными толщинами базы и влияния толщины базы на механизм переноса тока.
У роботі досліджується механізм перенесення струму в структурі Al-p-CdTe-Mo, коли товщина бази w ≤ 10 μm. Наведено результати досліджень вольт-амперних характеристик структури Al-p-CdTe-Mo з різними товщинами бази та впливу товщини бази на механізм перенесення струму.
В работе исследуется механизм переноса тока в структуре Al-p-CdTe-Mo, когда толщина базы w ≤ 10 μm. Приведены результаты исследований вольт-амперных характеристик структуры Al-p-CdTe-Mo с разными толщинами базы и влияния толщины базы на механизм переноса тока.
У роботі досліджується механізм перенесення струму в структурі Al-p-CdTe-Mo, коли товщина бази w ≤ 10 μm. Наведено результати досліджень вольт-амперних характеристик структури Al-p-CdTe-Mo з різними товщинами бази та впливу товщини бази на механізм перенесення струму.
Опис
Теми
Цитування
The mechanism of current transport in the structure Al-p-CdTe-Mo with different thickness of the base / Sh.A. Mirsagatov, A.K. Uteniyazov // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 3. — С. 325-329. — Бібліогр.: 15 назв. — англ.