Ионизационные механизмы генерации радиационных дефектов в кристаллах LiF при облучении высокоэнергетическими электронами

Abstract

Рассмотрены взаимодействия высокоэнергетических электронов (до 250 МэВ) с ионной и электронной подсистемами LiF. Определены основные энергетические параметры и сечения этих взаимодействий. На основании анализа основных механизмов генерации дефектов в ЩГК после облучения сделан вывод, что определяющим является распад долгоживущих электронных возбуждений с рождением точечных дефектов.Розглянуто взаємодії високоенергетичних електронів (до 250 МеВ) з іонною та електронною підсистемами LiF. Визначено основні енергетичні параметри та поперечний переріз цих взаємодій. На основі аналізу головних механізмів генерації дефектів у ЩГК після опромінення зроблено висновок, що провідним є розпад довгоживучих електронних збуджень з народженням точкових дефектів.Interactions between high-energy electrons (up to 250 MeV) and LiF ion and electron subsystem are considered in article. Basic energy parameters and cross-sections of these interations are detected. Conclusion based on main mechanisms of defect generation in alkali halide crystals after irradiation analyze in long-lived electron excitations decay with point defects generation is determinative.