Структурно-фазовый состав в наноразмерных пленочных композициях CoSb₁,₈₂-₅,₄₅ (3О нм)-SiO₂ (100 нм)-Si (001) после осаждения и после отжигов

Abstract

Методами фізичного матеріалознавства встановлено, що формування кристалічної скутерудитної фази CoSb₃ в нанорозмірній плівковій композиції (НПК) CoSb₁,₈₂-₅,₄₅ (3О нм)-SiO₂ (100 нм)-Si (001) відбувається при осадженні на підкладку, нагріту вище 200 °С, і вмісті Sb більше 72% (am.), що менше, чим маємо із діаграми фазової рівноваги для масивного стану системи Co-Sb. Формування антимоніди CoSb₃ в НПК, осаджених на підкладку при кімнатній температурі, відбувається в інтервалі концентрацій Sb від 73,9 до 82,7% (am.) і при відпалах в інтервалі температур 200—500 °С.Методами физического материаловедения установлено, что кристаллическая скуттерудитная фаза CoSb₃ в наноразмерной пленочной композиции (НПК) CoSb₁,₈₂-₅,₄₅ (3О нм)-SiO₂ (100 нм)—Si (001) формируется при осаждении на подложку, нагретую выше 200 °С, и содержании Sb более 72% (am,), что меньше, чем следует из диаграммы фазового равновесия для массивного состояния системы Co—Sb. Образование антимонида CoSb₃ в НПК, осажденных на подложку при комнатной температуре, происходит в интервале концентраций Sb 73,9—82,7% (am.) и при отжигах в интервале температур 200—500 °С,By methods of physical material science it is established that the formation of crystalline skutterud'tte CoSb₃ phase in the nanoscaled film compositions (NFC's) of CoSb₁,₈₂-₅,₄₅ (ЗО nm)—SiO₂ (100 nm)—Si (001) occurs at deposition of ones on a substrate heated above 200 °С and Sb content above 72% (at), which is less than that from phase equilibrium diagram for the bulk Co—Sb system. Formation of CoSb₃ antimonide in NFC's which were deposited on substrate at room temperature occurs in concentration range of Sb from 73,9 to 82,7% (at.) and at annealings in temperature range of 200—500 °С.