Photoluminescence of ZnSe nanocrystals at high excitation level

Завантаження...
Ескіз

Дата

Назва журналу

Номер ISSN

Назва тому

Видавець

Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України

Анотація

The excitation-dependent photoluminescence (PL) of ZnSe nanocrystals (NC) grown on GaAs (100) substrate was studied. The PL spectra observed corroborate previous observations of a bimodal size distribution of NC grown, and, in addition, evidence the existence of spectral diffusion with extend dependent on excitation power. Besides, it was also shown that at relatively intense excitation an extra band has arose in luminescence spectra due to biexcitons confined in NC of 3.5–4.0 nm size. The binding energy of these biexcitons was as large as 23 meV.

Опис

Теми

Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках

Цитування

Photoluminescence of ZnSe nanocrystals at high excitation level / V.V. Tishchenko, A.V. Kovalenko // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 5. — С. 524-527. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.

item.page.endorsement

item.page.review

item.page.supplemented

item.page.referenced