Seebeck’s effect in p-SiGe whisker samples
Завантаження...
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
p-SiGe whisker samples with a diameter of ~40 μm, grown by chemical
precipitation from the vapor phase, have been investigated. Temperature dependences of
the thermal e.m.f. and conductivity within the temperature interval 20…400 K have been
measured. It has been shown that the mobility of holes in p - SiGe whiskers upon the
average is 1.5 times higher than that in bulk p - Si samples. p - SiGe whiskers possess
smaller phonon scattering and larger phonon dragging in comparison with the bulk
p - Si samples.
Опис
Теми
Цитування
Seebeck’s effect in p-SiGe whisker samples / A.P. Dolgolenko, A.A. Druzhinin, A.Ya. Karpenko, S.I. Nichkalo, I.P. Ostrovsky, P.G. Litovchenko, A.P. Litovchenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2011. — Т. 14, № 4. — С. 456-460 — Бібліогр.: 6 назв. — англ.