Enhancement of CdSSe QD exciton luminescence efficiency by hydrogen RF plasma treatment
Завантаження...
Файли
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
We report an enhancement of exciton luminescence in CdSxSe₁₋x QD embedded into borosilicate glass matrix and then treated by the low-temperature hydrogen RF plasma. Results clearly confirm the essential crushing of the surface levels that have a high nonradiative recombination efficiency.
Опис
Теми
Цитування
Enhancement of CdSSe QD exciton luminescence efficiency by hydrogen RF plasma treatment / V.P. Kunets, N.R. Kulish, V.V. Strelchuk, A.N. Nazarov, A.S. Tkachenko, V.S. Lysenko, M.P. Lisitsa // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 2. — С. 169-171. — Бібліогр.: 13 назв. — англ.