Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь

Abstract

В результате расчета транспортных характеристик одиночной магнитной примеси показано, что присутствие разных эффективных каналов для прохождения электрона приводит к реализации эффекта Фано. Отмечено, что приложение внешнего магнитного поля и электрического поля затвора позволяет управлять проводящими свойствами, обусловленными конфигурационным взаимодействием состояний в системе.В результаті розрахунку транспортних характеристик поодинокої магнітної домішки показано, що присутність різних ефективних каналів для проходження електрона призводить до реалізації ефекту Фано. Відмічено, що додаток зовнішнього магнітного поля і електричного поля затвора дозволяє управляти властивостями, що проводять, обумовленими конфігураційною взаємодією станів в системі.The calculation of single magnetic impurity’s transport characteristics has showed that presence of different effective channels for electron transmission results the Fano effect. It was noticed the external magnetic field and gate voltage allow to control of conducting properties which are specified by the configuration interaction between states of the system.