Crystallization study of (As₂S₃)₁₀₀-x(SbSI)x amorphous films by the optical method

Завантаження...
Ескіз

Дата

Назва журналу

Номер ISSN

Назва тому

Видавець

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України

Анотація

The results of isothermal and nonisothermal crystallization investigations of the (As₂S₃)₁₀₀-x(SbSI)x (53≤x≤80) thin films are given. It is shown that the films crystallization is accompanied by a sharp decrease in transmission. The phase structure arising in the matrix of films during crystallization corresponds to the structure of crystalline SbSI. The formation mechanism of nanocrystalline SbSI inclusions in the amorphous matrix is discussed.

Опис

Теми

Цитування

Crystallization study of (As₂S₃)₁₀₀-x(SbSI)x amorphous films by the optical method / V.M. Rubish, O.V. Kozusenok, P.P. Shtets, V.M. Marjan, E.V. Gera, A.A. Tarnaj // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2012. — Т. 15, № 3. — С. 294-297. — Бібліогр.: 11 назв. — англ.

item.page.endorsement

item.page.review

item.page.supplemented

item.page.referenced