Thermoelectric effect in single layer epitaxial graphene formed on semiconductor substrate. Simple analytical model

Завантаження...
Ескіз

Дата

Назва журналу

Номер ISSN

Назва тому

Видавець

Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України

Анотація

In this paper we have investigated thermoelectric effect in the epitaxial graphene on a semiconductor substrate using a simple model. We have obtained the expressions for static conductance and thermopower of the epitaxial graphene. The thermopower of the epitaxial graphene can be abnormally large near the edges of the semiconductor band gap.

Опис

Теми

Электронные свойства проводящих систем

Цитування

Thermoelectric effect in single layer epitaxial graphene formed on semiconductor substrate. Simple analytical model / Z.Z. Alisultanov // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 7. — С. 767–770. — Бібліогр.: 22 назв. — англ.

item.page.endorsement

item.page.review

item.page.supplemented

item.page.referenced