Квантовые осцилляции в перестраиваемом графеновом бислое

Abstract

Рассмотрены осцилляции запрещенной щели, химического потенциала и концентрации носителей на графеновом бислое в квазиклассическом магнитном и поперечном электрическом поле, создаваемом напряжением на затворе.Розглянуто осциляції забороненої щілини, хімічного потенціалу й концентрації носіїв на графеновому бішарі у квазікласичному магнітному й поперечному електричному полі, яке створюється напругою на затворі.The oscillations of forbidden gap, chemical potential and carrier concentration on a graphene bilayer at a quasi-classical magnetic field and a transverse electrical one produced by gate voltage are considered.