Electron-electron drag in crystals with a multi-valley band. Magnetoresistivity and Hall-effect

Завантаження...
Ескіз

Дата

Автори

Назва журналу

Номер ISSN

Назва тому

Видавець

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України

Анотація

Hall-effect and magnetoresistivity of electrons in multi-valley bands of Si and Ge is considered with due regard for direct intervalley drag. Search of contribution of this drag shows that this interactioin sufficiently changes both effects. Calculated here values substantially differ from consequent those obtained on the base of popular - approximation.

Опис

Теми

Цитування

Electron-electron drag in crystals with a multi-valley band. Magnetoresistivity and Hall-effect / I.I. Boiko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2009. — Т. 12, № 4. — С. 349-356. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.

item.page.endorsement

item.page.review

item.page.supplemented

item.page.referenced