Modification of properties of the glass-Si₃N₄-Si-SiO₂ structure at laser treatment
Завантаження...
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
We studied the effect of laser treatment on the glass-Si₃N₄-Si-SiO₂ structures. It is shown that laser treatment causes appearance of an additional band in
their transmission spectra as well as smearing of grain structure at their surface.
Опис
Теми
Цитування
Modification of properties of the glass-Si₃N₄-Si-SiO₂ structure at laser treatment / R.V. Konakova, V.P. Kladko, O.S. Lytvyn, O.B. Okhrimenko, B.G. Konoplev, A.M. Svetlichnyi, V.N. Lissotschenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2009. — Т. 12, № 3. — С. 284-286. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.