Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана

Abstract

Mетодом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии исследованы нелегированные и легированные лантаном монокристаллы TlInS₂. Определены характеристики электрически активных дефектов: сечение захвата носителей заряда, энергия термоактивации и интервал температур изменения зарядового состояния дефекта. Изучены пироэлектрические свойства TlInS₂:La. Установлен дефект, ответственный за аномалии пиротока.Mетодом фотоелектричної релаксаційної спектроскопії досліджено нелеговані та леговані лантаном монокристали TlInS₂. Визначено характеристики електрично активних дефектів: переріз захоплення носіїв заряду, енергія термоактивації й інтервал температур змінення зарядового стану дефекту. Вивчено піроелектричні властивості TlInS₂:La. Встановлено дефект, відповідальний за аномалії піроструму.Undoped and La-doped TlInS₂ single crystals have been investigated by the photo-induced current transient spectroscopy (PICTS) method. The characteristics of electrically active defects such as capture cross-section, thermal activation energy and temperature interval of defect recharging have been determined. The pyroelectrical properties of TlInS₂:La have been investigated as well. The defect responsible for pyrocurrent anomalies has been established