Temperature-induced metal-insulator transition in a non-symmetric Hubbard model at half-filling

Abstract

In the present paper metal-to-insulator transition with the increase of temperature is studied in a narrow-band model with non-equivalent Hubbard subbands at half-filling. It is shown that the results obtained in the considered model are essentially distinct from those obtained in the Hubbard model. The results are applied to the interpretation of some experimental data.У цій роботі вивчається температурно-індукований перехід метал-діелектрик у вузькозонній моделі з нееквівалентними габбардівськими підзонами при половинному заповненні. Показано, що результати, отримані у розглядуваній моделі, суттєво відрізняються від результатів моделі Габбарда.