Optimization of technological parameters of ohmic contact junctions for GaAs-AlGaAs-based transistor structures
Завантаження...
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
The work deals with study and optimization of the technological parameters of ohmic contacts for HEMTs. It is shown that the depth of fusion front penetration into semiconductor is the main factor that determines ohmic properties of contact junctions.
Опис
Теми
Цитування
Optimization of technological parameters of ohmic contact junctions for GaAs-AlGaAs-based transistor structures / R.V. Konakova, V.V. Milenin, M.A. Stovpovoi // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2002. — Т. 5, № 2. — С. 180-182. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.