Локализация фононов и затухание низкочастотного звука в слоистых кристаллах

Abstract

Показано, что в ангармонической слоистой решетке специфические интерференционные процессы, возникающие в режиме локализации, приводят к существенным перенормировкам обратного времени жизни фононов. Этот механизм может преобладать над стандартным ангармоническим механизмом. Обсуждается вопрос о коэффициенте затухания низкочастотного звука в диэлектрике с диагональным беспорядком.Показано, що в ангармонічній шаруватій гратці специфічні інтерференційні процеси, що виникають в режимі локалізації, приводять до суттєвих перенормувань зворотнього часу життя фононів. Цей механізм може мати перевагу над стандартним ангармонійним механізмом. Обговорюється питання про коефіцієнт згасання низькочастотного звука в діелектрику з діагональним непорядком.It is shown that the specific interference processes developing under localization condition in the anharmonic layered lattice induce important renormalization of the inverse phonon lifetime. This mechanism can prevail over the standard anharmonic one. The coefficient of low frequency sound attenuation in a dielectric with diagonal disorder is discussed.