Структура димерних адсорбційних комплексів Ge на грані Si(001)

Abstract

Методом ТФГ (B3LYP, 6-31G**) розрахована рівноважна просторова будова кластера Si₉₆H₈₄, який моделює фрагмент релаксованої поверхні Si(001)(4×2), а також адсорбційних комплексів атомів Ge і димера Ge₂ на грані Si(001). Визначені типи активних центрів грані Si(001)(4×2), на яких відбувається адсорбція атомарного германію і димера Ge₂, а також енергії утворень відповідних поверхневих сполук.Методом ТФП (B3LYP, 6-31G**) рассчитано равновесное пространственное строение кластера Si₉₆H₈₄, воспроизводящего фрагмент релаксированной поверхности Si(001)(4×2), а также адсорбционных комплексов атомов Ge и димера Ge₂ на грани Si(001). Определены типы активных центров грани Si(001)(4×2), по которым происходит адсорбция атомарного германия и димера Ge₂, а также энергии образования поверхностных соединений.DFT method (B3LYP, 6-31G**) calculated equilibrium spatial cluster structure Si₉₆H₈₄, relaxed fragment reproducing the Si(001) (4×2), and adsorption complexes Ge atoms and dimer by Ge₂ face Si (001). Determination of types of active centers face Si(001) (4×2), in which there is a germanium atomic adsorption and dimer Ge₂ and the energy of formation of the corresponding complexes.