Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x
Завантаження...
Дата
Автори
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
Исследованы смешанные кристаллы ZnSxSe₁₋x разного состава (х = 0,07—0,39), выращенные методом Бриджмена — Стокбаргера.
У даній роботі досліджено вплив вмісту сірки на оптичну ширину забороненої зони в змішаних кристалах ZnSxSe₁₋x.Зразки для досліджень були вирощені методом Бріджмена — Стокбаргера в графітових тиглях діаметром 25 мм в атмосфері аргону (PAr = 2∙106 Па) за температури від 1870 до 2000 К залежно від складу вихідної шихти.
The effect of sulfur content on the optical width of the band gap in mixed crystals ZnSxSe₁₋x is investigated in this paper.The test samples for this study were grown by Bridgman-Stockbarger in graphite crucibles with the diameter of 25 mm in the Ar atmosphere (PAr = 2∙106 Pa) at a temperature from 1870 to 2000 K, depending on the composition of the initial raw materials.
У даній роботі досліджено вплив вмісту сірки на оптичну ширину забороненої зони в змішаних кристалах ZnSxSe₁₋x.Зразки для досліджень були вирощені методом Бріджмена — Стокбаргера в графітових тиглях діаметром 25 мм в атмосфері аргону (PAr = 2∙106 Па) за температури від 1870 до 2000 К залежно від складу вихідної шихти.
The effect of sulfur content on the optical width of the band gap in mixed crystals ZnSxSe₁₋x is investigated in this paper.The test samples for this study were grown by Bridgman-Stockbarger in graphite crucibles with the diameter of 25 mm in the Ar atmosphere (PAr = 2∙106 Pa) at a temperature from 1870 to 2000 K, depending on the composition of the initial raw materials.
Опис
Теми
Материалы электроники
Цитування
Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x / О.Г. Трубаева, М.А. Чайка // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 5-6. — С. 44-49. — Бібліогр.: 23 назв. — рос.