Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами

Abstract

Исследовано влияние электронов с эффективной энергией 12 МэВ в диапазоне доз 0,33-33 Мрад на электрические и фотоэлектрические свойства фотодиодов со структурой "собственный оксид - p-InSe". Установлено, что минимальная доза облучения улучшает их основные параметры, а максимальная незначительно снижает ток короткого замыкания и фоточувствительность приборов. При этом наблюдается рост вольт-ваттной чувствительности и минимальное увеличение коэффициента неидеальности вольт-амперной характеристики.Досліджено вплив електронів з ефективною енергією 12 МеВ в діапазоні доз 0,33—33 Мрад на електричні та фотоелектричні властивості фотодіодів зі структурою «власний оксид — InSe». Встановлено, що мінімальна доза опромінення покращує їх основні параметри, а максимальна — незначно знижує струм короткого замикання і фоточутливість приладів. При цьому спостерігається зростання вольт-ватної чутливості і мінімальне збільшення коефіцієнта неідеальності вольт-амперної характеристики.The article describes the research of the influence of electrons with an effective energy of 12 MeV in the 0,33—33 Mrad dose range on the electrical and photovoltaic properties of photodiodes with "intrinsic oxide — p-InSe" structure. It has been found that the minimum dose improves their basic parameters, while the maximum dose significantly reduces the short circuit current and devices photosensitivity. In this case, an increase in volt-watt sensitivity and a minimal increase in coupling coefficient of the I-V characteristic are observed.