Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-TiO₂:Mn/p-CdTe

Abstract

Исследованы электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-Tn-TiO₂:Mn/p-CdTe, изготовленных методом электронно-лучевого испарения в вакууме пленки TiO₂:Mn на монокристаллические подложки CdTe. Установлены доминирующие механизмы токопереноса при прямых и обратных смещениях гетероперехода.Досліджено електричні властивості анізотіпних гетеропереходів n-Tn-TiO₂:Mn/p-CdTe, виготовлених методом електронно-променевого випаровування у вакуумі плівки TiO₂:Mn на монокристалічні підкладки CdTe. Встановлено домінуючі механізми токоперенесення при прямих і зворотних зміщеннях гетеропереходу.The authors have investigated electronic properties of n-Tn-TiO₂:Mn/p-CdTe, anisotype heterojunctions, produced by the method of electron-beam evaporation of TiO₂:Mn film on single-crystal CdTe substrates in vacuum. The dominant mechanism of charge transport in the forward and reverse bias has been established.