Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин

Abstract

Приведены результаты исследования влияния облучения γ-квантами дозами до 1·10¹⁸ см⁻² и магнитного поля с индукцией до 14 Тл на электропроводность нитевидных кристаллов Si1-xGex в интервале температуры 4,2-300 К.Вивчено вплив опромінення γ-квантами (випромінювання Co⁶⁰) з дозами до 1·10¹⁸ см⁻² та магнітного поля з індукцією до 14 Тл на електропровідність ниткоподібних кристалів Si1-xGex (х = 0,03) з питомим опором 0,08,0,025 Ом·см в інтервалі температур 4,2 .300 К. Встановлено, що опір кристалів слабо змінюється в процесі опромінення дозами до 2·10¹⁷ см⁻², в той же час спостерігаються істотні зміни магнітоопору. На основі проведених досліджень запропоновано умови створення радіаційно стійких сенсорів деформації, дієздатних в умовах сильних магнітних полів.An influence of γ-irradiation (Co⁶⁰) with doze up to 1·10¹⁸ cm⁻² and magnetic field with induction up to 14 T on conduction of Si1-xGex (x = 0,03) whisker crystals with resistivity of 0,08-0,025 Ohm·cm in temperature range 4,2-300 K have been studied. It is shown that whisker crystals resistance faintly varies under irradiation with doze 2·10¹⁷ cm⁻², while their magnetoresistance substantially changes. The strain sensors stable to irradiation action operating in high magnetic fields on the base of the whiskers have been designed.