Индуктивный негасенсор

Завантаження...
Ескіз

Дата

Назва журналу

Номер ISSN

Назва тому

Видавець

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України

Анотація

Введение L-негатрона в схему индуктивного мостового сенсора позволяет повысить его чувствительность в три раза.
Розроблено схему індуктивного мостового негасенсорана L-негатроні - пристрої з негативною диференціальною індуктивністю. Проведені теоретичні та експериментальні дослідження показали, що введення негатрону досхеми індуктивного мостового сенсора дає виграш у чутливості утричі. Розроблено макет, у якому реалізовано можливість одночасного дослідження індуктивного сенсора та негасенсора на L-негатроні.
A circuit of an inductive bridge negasensor on a L-negatron device with negative differential inductance is developed. Theoretical and experimental researches which were conducted have shown that introduction of negatron to the circuit of inductive bridge sensor gives three times sensitivity advantage. A model of inductive sensor and negasensor on a L-negatron is developed. Possibility of simultane-ous research for sensor and negasensor is realized in this model.

Опис

Теми

Сенсоэлектроника

Цитування

Индуктивный негасенсор / Е.В. Войцеховская, Л.Б. Лищинская, А.А. Лазарев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 3. — С. 20-22. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

item.page.endorsement

item.page.review

item.page.supplemented

item.page.referenced