Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
Завантаження...
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
Приведены особенности технологии изготовления и фотоэлектрических характеристик обратновключенной n–p–m-структуры на основе арсенида галлия.
Опис
Теми
Функциональная микро- и наноэлектроника
Цитування
Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев, Ф.А. Гиясова, Ж.Т. Назаров // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 6. — С. 31-34. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.