Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста
Завантаження...
Дата
Автори
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
Определена область оптимальных соотношений потоков PH₃/SiH₄ и температуры осаждения, обеспечивающих приемлемую скорость и однородность осаждения, высокий уровень легирования и конформное заполнение топологического рельефа пленками ПКЛФ.
Опис
Теми
Материалы электроники
Цитування
Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста / О.Ю. Наливайко, А.С. Турцевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 6. — С. 50-55. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.