Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n–GaAs
Завантаження...
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
Установлено, что фоточувствительные структуры Ni–n–GaAs при освещении со стороны полупрозрачного слоя никеля практически не реагируют на свет в фаулеровской области спектра hv=0,9...1,25 эВ.
Опис
Теми
Функциональная микро- и наноэлектроника
Цитування
Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n–GaAs / Д. Мелебаев, Г.Д. Мелебаева, Ю.В. Рудь, В.Ю. Рудь // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 1. — С. 31-34. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.