Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
Завантаження...
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
Разработана методика получения диодных эпитаксиальных структур фосфида галлия (p⁺–n-типа), изготовлены опытные образцы сенсоров температуры и определены их технические параметры, показана перспективность применения.
Опис
Теми
Функциональная микро- и наноэлектроника
Цитування
Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p⁺–n-типа / В.А. Краснов, Ю.М. Шварц, М.М. Шварц, Д.П. Копко, С.Ю. Ерохин, А.М. Фонкич, С.В. Шутов, Н.И. Сыпко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 6. — С. 38-40. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.