Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
Завантаження...
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
Модифицировано устройство для жидкостной эпитаксии полупроводниковых соединений типа АIIIВV. Показана возможность управления градиентом концентрации примесей, создающим внутренние электрические поля в фотоприемной и активной областях структур.
Опис
Теми
Технологические процессы и оборудование
Цитування
Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Р.А. Саидова, Ф.А. Гиясова, Ш.А. Хайдаров // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 6. — С. 57-61. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.