Датчик для измерения криогенных температур на основе нитевидных кристаллов Si-Ge
Завантаження...
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
На основе сильнолегированных нитевидных кристаллов Si-Ge создан датчик для измерения криогенных температур, работоспособный в условиях магнитных полей.
Опис
Теми
Сенсоэлектроника. Датчики
Цитування
Датчик для измерения криогенных температур на основе нитевидных кристаллов Si-Ge / А.А. Дружинин, И.П. Островский, С.М. Матвиенко, Ю.Р. Когут // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 1. — С. 26-27. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.