Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности

Завантаження...
Ескіз

Дата

Назва журналу

Номер ISSN

Назва тому

Видавець

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України

Анотація

Рассмотрены модели магнитотранзисторов, которые не основываются на решении двумерного уравнения непрерывности для инжектированных носителей. Показано, что несоответствие этих моделей точной теории снимается при достаточно корректном решении одномерного уравнения непрерывности.
Розглянуто моделі магнітотранзисторів, які не основані на вирішенні двовимірного рівняння безперервності для інжектованих носіїв. Показано, що протиріччя між результатами цих моделей та результатами точної теорії знімається при досить коректному використанні рішення одновимірного рівняння безперервності.
The magnetotransistor models which arc not based on the resolution of two-dimension continuity equation arc examined. It is shown that a contradiction between results of these models and results of exact theory vanishes when the resolution of one-dimension continuity equation is applied correctly

Опис

Теми

Функциональная микро- и наноэлектроника

Цитування

Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности / М.А. Глауберман, В.В. Егоров, Н.А. Канищева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 2-3. — С. 28-32. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

item.page.endorsement

item.page.review

item.page.supplemented

item.page.referenced