Формирование приповерхностных слоев при низкоэнергетичном высокодозном ионно-плазменном облучении поверхности меди

Abstract

Исследовался процесс низкоэнергетичного (Е<З кэВ ) облучения поверхности меди ионами Ti и Al из сепарированного потока плазмы вакуумной дуги. Представлены результаты измерения концентрационных профилей титана и алюминия в зависимости от дозы облучения и температуры подложки. Установлено, что глубина залегания бомбардируемых ионов существенно превышает проекционный пробег ионов и зависит от температуры подложки и вида ионов. Процесс накопления внедренных примесей Ti и Al является термоактивируемым, с характерной энергией 7…15 кДж/г.моль. Одним из объяснений полученных результатов является радиационно-стимулированная диффузия внедренной примеси по междоузельному механизму. Данные, полученные методом ядерных реакций, коррелируют с измерениями внедренной дозы, полученными рентгенофлюоресцентным методом.