Особенности процессов фотостимулированного взаимодействия в светочувствительной системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag

Abstract

Исследованы особенности процессов фотостимулированного взаимодействия в системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag. На основном этапе фотостимулированного взаимодействия в системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag наблюдается параболическая зависимость толщины слоя продуктов от экспозиции Н и контролирующими можно полагать диффузионные процессы. Спектры комбинационного рассеяния продуктов фотостимулированного взаимодействия и слоев As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag анализировались в рамках молекулярной модели. Обсуждены также особенности образования металл-халькогенидных связей. Дифракционная эффективность решеток, записанных на системе As₄₀S₂₀Se₄₀-Ag, составляла ~ 60 % в поляризованном свете.