Радиационные эффекты в арсенидгаллиевых поверхностно-барьерных структурах, возникающие под воздействием γ и β излучения

Abstract

Приведены экспериментальные данные о влиянии γ- и β-излучений на вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики диодных структур с барьером Шоттки Au-Al-GaAs и Au-Ti-GaAs. Обнаружен интервал доз, в котором улучшаются параметры диодных структур.Наведені експериментальні дані про вплив γ- та β-випромінювань на вольт-амперні та вольт-фарадні характеристики діодних структур з бар’єром Шоттки Au-Al-GaAs та Au-Ti-GaAs. Виявлено інтервал доз, в якому покращуються параметри діодних структур.The experimental data on γ- and β-irradiation effect on the volt amper and volt-farad characteristics of diod structures with Schottky barrier Au-Al-GaAs and Au-Ti-GaAs are presented . The dose interval with this improved diode structures parameters is revealed.