Electric barrier formation in kind of connected dip and hump of electric potential near ECR point
Завантаження...
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
Анотація
The self-consistent formation, observed in experiments, of the solitary barrier for plasma electrons and ions has been analytically described.
Опис
Теми
Plasma electronics
Цитування
Electric barrier formation in kind of connected dip and hump of electric potential near ECR point / S.V. Barchuk, V.I. Lapshin, V.I. Maslov, I.N. Onishchenko, V.N. Tretyakov // Вопросы атомной науки и техники. — 2002. — № 5. — С. 98-100. — Бібліогр.: 1 назв. — англ.