Сублимационный источник для нанесения эпитаксиальных Si-Ge-плёнок

Abstract

Разработан и изготовлен сублимационный источник атомов для нанесения плёнок методом молекулярно- лучевой эпитаксии. С использованием сублимационного источника получены эпитаксиальные кремний- германиевые пленки с различным содержанием германия.Розроблено і виготовлено сублімаційне джерело атомів для нанесення плівок методом молекулярно- променевої епітаксії. З використанням сублімаційного джерела отримано епітаксійні кремній-германієві плівки з різним вмістом германію.The atom sublimation source for application the films by molecular beam epitaxy method is developed and made. The epitaxial silicon-germanium films with different germanium content were obtained with the help of sublimation source.