Влияние предварительной деформации и облучения на оптическое поглощение в кристаллах LiF

Abstract

Изучено оптическое поглощение излучения на облученных рентгеновскими лучами кристаллах LiF с различными величинами предварительной деформации при комнатной температуре. Определены полуширина полосы поглощения и локализация ее максимума, на основании чего сделан вывод о присутствии F-центров в облученных кристаллах. По формуле Смакулы определена объемная плотность указанных радиационных дефектов.Вивчено оптичне поглинання випромінювання на опромінених рентгенівськими променями кристалах LiF з різними величинами попередньої деформації при кімнатній температурі. Визначено напівширину смуги поглинання та локализацію її максимуму, на підставі чого зроблено висновок щодо наявності F-центрів в опромінених кристалах. За формулою Смакули визначено об’ємну густину вказаних радіаційних дефектів.The optical absorption in the irradiated by x-ray LiF crystals with the various values of the preliminary deformation at a room temperature is investigated. The wavelength localization and the value of the absorption band width is defined on the base of F-centres presence in irradiated crystals is concluded. In the frame of Smakula’s formula the volume density of the above-mentioned irradiation defects is defined.