Studying electro-physical characteristics of detecting elements on the ohmic side of silicon microstrip detector

Abstract

The results of studying the ohmic side of the double-sided microstrip detectors (DSMD) possessing the diode separating p⁺ stop structure of different type and size are presented. The effect of the p⁺ stop structure on the DSMD interstrip resistance and interstrip capacitance is considered.Представлено результати дослідження омічної сторони двосторонніх мікрострипових детекторів (ДСМД), які мають діодну розділяючу p⁺ стоп-структуру різного типу та розміру. Розглянуто вплив p⁺ стоп-структури на міжстрипову ємність та міжстриповий опір ДСМД.Представлены результаты исследования омической стороны двухсторонних микростриповых детекторов (ДСМД), имеющих диодные разделяющие p⁺ стоп-структуры различных типов и размера. Рассмотрено влияние p⁺ стоп-структуры на межстриповую емкость и межстриповое сопротивление ДСМД.