Київський скануючий ядерний мікрозонд з методикою прецизійного програмованого опромінення зразка мікропучком іонів

Abstract

В Києві збудована високотехнологічна установка – скануючий ядерний мікрозонд (ЯМЗ) з трьома ядерно-фізичними методиками. Дві з цих методик застосовуються для мікроаналітичних досліджень хімічного складу зразка, а третя – дозволяє виконувати його прецизійне програмоване опромінення (ППО) мікропучком протонів (або альфа-частинок) з енергією 1…2 МеВ. У роботі надана інформація щодо головних особливостей цих методик і техніки експерименту. Наведено приклад комбінованого застосування трьох методик для виконання послідовно (або одночасно) керованої модифікації напівпровідникового зразка радіаційними дефектами і мікроаналізу його складу. Показано, що інсталяція методики ППО на Київському ЯМЗ відкриває додаткову можливість щодо виготовлення 3-D мікроструктур за новою безмасковою технологією.

В Киеве построена высокотехнологичная установка – сканирующий ядерний микрозонд (ЯМЗ) с тремя ядерно-физическими методиками. Две из этих методик используются для микроаналитических исследований химического состава образца, а третья позволяет выполнять его прецизионное программированное облучение (ППО) микропучком протонов (или альфа-частиц) с энергией 1…2 МэВ. В статье содержится информация об основных особенностях этих методик и о технике эксперимента. Представлен пример комбинированного использования трех методик с целью выполнить последовательно (или одновременно) контролируемую модификацию полупроводникового образца радиационными дефектами и микроанализ его состава. Показано, что ввод в эксплуатацию методики ППО на Киевском ЯМЗ открывает дополнительную возможность для изготовления 3-D микроструктур по новой безмасочной технологии.

The scanning nuclear microprobe (NMP) with three nuclear physic techniques is constructed in Kyiv. The NMP is high technology set up. Two of the above mentioned techniques are used for micro analytical studies of chemical element contamination in the specimen. The third technique allows performing the precise programming irradiation (PPI) of the sample by 1…2 MeV protons (or alpha particles). The peculiarities and hardware of the techniques are described in this paper. There is an example of combined application of third techniques for performing of controlled modification of semiconductor specimen by radiation-induced defects and micro analysis of its composition, sequentially or simultaneously. It is presented that PPI technique of the Kyiv NMP opens an additional possibility for mask less fabrication of 3-D microstructures using new technology.