Varistor-like current-voltage characteristic of porous silicon

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorVakulenko, O.V.
dc.contributor.authorKondratenko, S.V.
dc.contributor.authorShutov, B.M.
dc.date.accessioned2017-06-03T04:58:04Z
dc.date.available2017-06-03T04:58:04Z
dc.date.issued1999
dc.description.abstractThe porous silicon (PS) current-voltage characteristic (CVC) has measured in transverse and longitudinal applied electric field. The obtained CVC has a varistor-like shape. Besides the practical application this confirms the PS grain structure whose influence is discussed in analizing the mechanism of the visible luminescence in PS.uk_UA
dc.identifier.citationVaristor-like current-voltage characteristic of porous silicon / O.V. Vakulenko, S.V. Kondratenko, B.M. Shutov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — Т. 2, № 2. — С. 88-89. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS 72.80.Ng, s5.11
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119066
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleVaristor-like current-voltage characteristic of porous siliconuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
16-Vakulenko.pdf
Розмір:
96.25 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 1999, № 2