Переохлаждение при кристаллизации пленок висмута на германиевой подложке

Abstract

Исследованы механизм конденсации в пленочной системе Bi—Ge и изменение электрического сопротивления в слоистой пленочной системе Ge—Bi—Ge в ходе циклов нагрев—охлаждение. Определены величина переохлаждения при кристаллизации висмута в контакте с аморфным и поликристаллическим германием — 94 K и угол смачивания в островковых пленках висмута на аморфной германиевой подложке — 68°. Полученные результаты хорошо согласуются с имеющимися данными по обобщенной зависимости величины переохлаждения от угла смачивания для других контактных систем.

Досліджено механізм конденсації в плівковій системі Bi—Ge і зміна електричного опору в шаруватій плівковій системі Ge—Bi—Ge у ході циклів нагрівання—охолодження. Визначено ступінь переохолодження при кристалізації вісмуту в контакті з аморфним і полікристалічним германієм — 94 K і кут змочування в острівцевих плівках вісмуту на аморфній германієвій підкладці — 68°. Отримані результати добре узгоджуються з наявними даними по узагальненій залежності величини переохолодження від кута змочування для інших контактних систем.

The condensation mechanism of Bi—Ge film system and variation of the electrical resistance in Ge—Bi—Ge layered film system during heating and cooling cycles has been investigated. The value of supercooling upon crystallization of Bi in contact with amorphous and polycrystalline Ge (~94 K) as well as the wetting angle in this system (68°) have been determined. The measured values are in a good agreement with literature data on summarized dependency of supercooling value versus the wetting angle.