Влияние тепловых процессов в Si/AIIIBV RGB-матрицах светодиодов на реверсивное микропроцессорное управление освещением

Abstract

Обоснована необходимость внедрения монолитно интегрированных Si/AIIIBV-источников света. Проанализировано влияние динамики температурного изменения на реверсивный режим включения светодиодов в качестве фотоприемников в интегрированных Si/AIIIBV-источниках света. Исследовано влияние температурной динамики на длину волны, интенсивность излучения и цветовую температуру исследуемых образцов. Исследована сила света диодных источников видимого излучения в зависимости от температуры. Обоснована необходимость использования при реализации монолитных интегральных Si/AIIIBV-источников света нескольких светодиодов в разнесенные во времени моменты в реверсивном режиме включения.

Обгрунтовано необхідність впровадження монолітно інтегрованих Si/AIIIBV RGB-джерел світла. Проаналізовано вплив динаміки температурних змін на реверсивний режим включення світлодіодів як фотоприймачів у інтегрованих Si/AIIIBV RGB-джерелах світла. Досліджено вплив температурної динаміки на довжину хвилі, інтенсивність випромінювання та колірну температуру досліджуваних зразків. Досліджено силу світла діодних джерел видимого випромінювання залежно від температури. Обгрунтовано необхідність використання при реалізації Si/AIIIBV RGB-джерел світла декількох світлодіодів у рознесені з часі моменти в реверсивному режимі включення.

It has been justified the necessity of monolithically integrated Si/AIIIBV light sources implementation. The influence of the dynamics of temperature changes on the steps of modeling and implementation of monolithically integrated Si/AIIIBV light sources have been investigated and analyzed. The influence of temperature dynamics on the wavelength, intensity and color temperature of the samples has been studied. The values of LEDs sources brightness depending on the temperature are investigated. It is reported about the benefits and necessities of the implementation of multiple LEDs spaced in time in the reverse mode at monolithic integrated Si/AIIIBV light sources.