Динамические механические характеристики монокристаллов системы Si-Ge

Abstract

Изучены электрофизические и динамические механические характеристики монокристаллических образцов Si-Ge. На основе результатов измерений амплитудной зависимости внутреннего трения и модуля сдвига определены критические амплитудные деформации отрыва сегментов дислокаций от точечных центров закрепления и динамические пределы упругости в условиях крутильных колебаний монокристаллов Si, Ge, Si₀,₉₈Ge₀,₀₂ и Ge₀,₉₈Si₀,₀₂.Вивчено електрофізичні та динамічні механічні характеристики монокристалічних зразків Sі-Ge. На основі результатів вимірів амплітудної залежності внутрішнього тертя й модуля зрушення визначені критичні амплітудні деформації відриву сегментів дислокацій від крапкових центрів закріплення й динамічні межі пружності в умовах крутильних коливань монокристалів Sі, Ge, Si₀,₉₈Ge₀,₀₂ и Ge₀,₉₈Si₀,₀₂.Electrophysical and dynamic mechanical characteristics of monocrystalline specimens of Si-Ge were investigated. Critical strain amplitude of breakaway of segments of dislocations from pinning centers and elasticity limits of Si, Ge, Si₀,₉₈Ge₀,₀₂ and Ge₀,₉₈Si₀,₀₂ monocrystals in conditions of torsion oscillations were determined on the basis of results of measurements of internal friction and shear modulus amplitude dependences.