Ферми-жидкостная аномалия концентрационной зависимости g-фактора электронов проводимости в полупроводнике с гибридизированными примесными состояниями

Abstract

Дано теоретическое описание концентрационной зависимости g-фактора электронов проводимости в гибридизированных состояниях на донорных примесях в полупроводнике с учетом влияния межэлектронного взаимодействия в рамках ферми-жидкостного подхода. Показано, что предсказываемая теорией зависимость, обусловленная ферми-жидкостным взаимодействием, из-за частичной локализации электронов на примесях в резонансном интервале является немонотонной.

Дано теоретичний опис концентраційної залежності g-фактора електронів провідності в гібридизованих станах на донорських домішках у напівпровіднику з урахуванням впливу міжелектронної взаємодії в рамках фермі-рідинного підходу. Показано, що залежність, яка передбачається теорією і обумовлена фермі-рідинною взаємодією, є немонотонною через часткову локалізацію електронів на домішках у резонансному інтервалі.

The concentration dependence of conduction electrons g factor in hybridized states on donor impurities in a semiconductor is described theoretically with allowance for the electron–electron interaction in the framework of the Fermi-liquid approach. It is shown that the theoretical dependence, due to the Fermi-liquid interaction, is nonmonotonous because of partial localization of electrons on impurities in the resonance interval.