Ion beam system for nanotrimming of functional microelectronics layers

Abstract

This paper concerns with investigation of the trimming process which uses ion beam etching for high-precision adjustment of the thickness of functional microelectronics layers. The layer deposited on the substrate is etched by scanning focused ion beam; its position and power is regulated according to the topography of layer non-uniformity. The trimming allows to create pre-defined topography of the non-uniformity with accuracy down to 4 Å and decrease the roughness of the surface.

Досліджено процес коригувального іонно-променевого травлення для регулювання з високою точністю товщини функціональних шарів мікроелектроніки. Функціональний шар на підкладці витравлюється скануючим сфокусованим іонним пучком, локалізація та потужність якого відповідають топографії неоднорідності товщини функціонального шару. Показана можливість регулювання розподілу товщини плівок по поверхні підкладок до +/-4 Å та зменшення шорсткості поверхні.

Исследован процесс корректирующего ионно-лучевого травления для регулировки с высокой точностью толщины функциональных слоев микроэлектроники. Функциональный слой на подложке травится сканирующим сфокусированным ионным пучком, локализация и мощность которого соответствуют топографии неоднородности толщины функционального слоя. Показана возможность регулировки распределения толщины пленок по поверхности подложек до +/-4 Å и уменьшения шероховатости поверхности.