Электросопротивление многослойных композиций Al–Cu и графит–фторопласт

dc.contributor.authorБеженар, А.А.
dc.contributor.authorЗанмин Дун
dc.contributor.authorКопань, В.С.
dc.contributor.authorРево, С.Л.
dc.contributor.authorХуторянская, Н.В.
dc.date.accessioned2016-07-01T19:17:34Z
dc.date.available2016-07-01T19:17:34Z
dc.date.issued2013
dc.description.abstractИзучено особенности поведения электросопротивления σ⁻¹ многослойных композиций (МСК) Al–Cu при изменении толщины слоя в диапазоне h = 20–350 нм и МСК графит–фторопласт (h = 300–1600 нм). Показано, что в отличие от МСК Al–Cu, где σ⁻¹ нарастает с уменьшением h за счёт неупругого рассеяния электронов на границах между слоями, в компози-ции графит–фторопласт оно нарастает за счет туннелирования носителей тока через зазоры между частицами графита.uk_UA
dc.description.abstractВивчено залежність електроопору σ⁻¹ багатошарових композицій (БШК) Al–Cu від товщини шару в діапазоні h = 20–350 нм та БШК графіт–фторо-пласт (h = 300–1600 нм). Показано, що в БШК Al–Cu σ⁻¹ наростає зі зменшенням h за рахунок непружного розсіювання електронів на границях між шарами, а в БШК графіт–фторопласт — за рахунок тунелювання че-рез зазори між частинками графіту.uk_UA
dc.description.abstractThe dependence of the electrical resistivity σ⁻¹ of multilayer compositions (MLC) of Al–Cu on the thickness of layer in the range h = 20–350 nm and MLC of graphite-fluoroplastic (h = 300–1600 nm) is investigated. It is shown that σ⁻¹ grows with decreasing of h due to the inelastic scattering of electrons at the boundaries between layers in the MLC of Al–Cu and due to tunnelling through the gaps between the graphite particles in the MLC of graphite–fluoroplastic.uk_UA
dc.identifier.citationЭлектросопротивление многослойных композиций Al–Cu и графит–фторопласт / А.А. Беженар, Дун Занмин, В.С. Копань, С.Л. Рево, Н.В. Хуторянская // Металлофизика и новейшие технологии. — 2013. — Т. 35, № 5. — С. 595-602. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn1024-1809
dc.identifier.otherPACS numbers: 72.80Tm, 73.21Ас, 73.40.Gk, 73.40.Jn, 73.40.Ns, 73.50.Mx, 81.20.Hy
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/104112
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofМеталлофизика и новейшие технологии
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectЭлектронные структура и свойстваuk_UA
dc.titleЭлектросопротивление многослойных композиций Al–Cu и графит–фторопластuk_UA
dc.title.alternativeElectrical Resistance of the Al–Cu and Graphite–Fluoro-plastic Multilayer Compositionsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
04-Bezhenar.pdf
Розмір:
193.92 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: